據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)，于2025年09月09日?qǐng)?bào)道，9月26-28日，“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將在云南昆明舉辦。屆時(shí)，云南大學(xué)材料與能源學(xué)院（研究員，云南省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任）、云南中科鑫圓晶體材料有限公司科技副總經(jīng)理王茺受邀將出席會(huì)議，并帶來《GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長(zhǎng)機(jī)理及其光電探測(cè)性能研究》的主題報(bào)告，分享最新相關(guān)趨勢(shì)，敬請(qǐng)關(guān)注！
嘉賓簡(jiǎn)介
王茺，云南大學(xué)博士生導(dǎo)師，研究員（三級(jí)崗），云南中科鑫圓晶體材料有限公司科技副總經(jīng)理，長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體材料與器件的教學(xué)、研究和產(chǎn)業(yè)化推廣工作，曾先后開展InAs/GaAs量子阱&量子點(diǎn)、Ge/Si量子點(diǎn)、鍺基合金、Ge單晶、InAs單晶、GaAs單晶和GaSb單晶等多種新型半導(dǎo)體材料技術(shù)研發(fā)。主持國(guó)家自然科學(xué)基金、云南省應(yīng)用基礎(chǔ)研究重點(diǎn)、教育部科學(xué)研究重點(diǎn)以及云南省重大科技計(jì)劃專項(xiàng)子課題等重大科研任務(wù)16項(xiàng)。以第一和通訊作者發(fā)表高水平SCI論文90余篇，代表性論文刊登在Adv. Mater., J. Energy Chem., ACS Photonics, Small和Nano Lett.等國(guó)際頂級(jí)期刊上。共獲得中國(guó)發(fā)明專利授權(quán)17項(xiàng)。先后 4 次獲得云南省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)特等獎(jiǎng)、一等獎(jiǎng)和二等獎(jiǎng)。入選云南省引進(jìn)高層次人才、云南省中青年學(xué)術(shù)技術(shù)帶頭人、云南省萬人計(jì)劃和云南省產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新人才，擔(dān)任《紅外技術(shù)》期刊青年編委、中國(guó)微米納米技術(shù)學(xué)會(huì)以及中國(guó)材料研究學(xué)會(huì)的青年工作委員會(huì)理事。
單位簡(jiǎn)介
云南大學(xué)光電子與能源材料團(tuán)隊(duì)一直圍繞非制冷探測(cè)材料與器件、Si基光電器件、鈣鈦礦太陽(yáng)電池與探測(cè)器、III-V族晶片及紅外探測(cè)材料開展研究，形成了一支富有創(chuàng)新力的研究團(tuán)隊(duì)，承擔(dān)了多項(xiàng)國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目和云南省重大科技專項(xiàng)項(xiàng)目，在光電材料和器件的研究方面分別獲得了云南省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)自然科學(xué)類一和二等獎(jiǎng)。
云南中科鑫圓晶體材料有限公司是一家專業(yè)從事低位錯(cuò)、高性能空間太陽(yáng)能電池用鍺單晶材料的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，是國(guó)內(nèi)最大的鍺單晶襯底片生產(chǎn)企業(yè)。公司先后承擔(dān)了國(guó)家、省部級(jí)重大專項(xiàng)15余項(xiàng)。公司獲得國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”、國(guó)家級(jí)“綠色工廠”榮譽(yù)；獲得授權(quán)專利44件，主持/參與制定13項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。通過科技成果轉(zhuǎn)化，空間衛(wèi)星太陽(yáng)能電池用鍺單晶襯底片產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化替代、填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。
報(bào)告前瞻
報(bào)告題目：GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長(zhǎng)機(jī)理及其光電探測(cè)性能研究
報(bào)告摘要：GaSb與InAs因其高的光吸收系數(shù)和載流子遷移率以及易形成II型能帶結(jié)構(gòu)等特性，在光電探測(cè)器應(yīng)用領(lǐng)域引起極大關(guān)注。然而，MBE和CVD法因制備的高成本限制了器件的應(yīng)用。磁控濺射法作為物相沉積法具有高濺射速率、規(guī)模化、低成本的優(yōu)點(diǎn)，對(duì)于GaSb基光電子器件應(yīng)用具有廣闊的潛力。由于GaSb與InAs薄膜的晶格常數(shù)相匹配，采用GaSb襯底進(jìn)行InAs薄膜的外延可以極大幅度降低薄膜內(nèi)的缺陷與位錯(cuò)數(shù)量。綜上，本團(tuán)隊(duì)利用GaSb襯底晶格常數(shù)與InAs材料晶格常數(shù)相近的特點(diǎn)，通過磁控濺射法，制備了GaSb薄膜材料作為緩沖層，開展了非晶GaSb薄膜退火晶化研究，通過分析生長(zhǎng)參數(shù)對(duì)于GaSb薄膜結(jié)晶與退火晶化的影響，制備了高質(zhì)量、均勻平整的GaSb薄膜。首次通過磁控濺射法在GaSb襯底表面外延出（111）取向的多晶InAs薄膜，通過探究InAs薄膜退火氧化效應(yīng)的影響，采用磁控儀在襯底解析溫度以制備出大晶粒尺寸、低晶界密度的InAs薄膜。磁控共濺射法制備GaInAsSb薄膜，并研究了不同生長(zhǎng)溫度的影響。為磁控濺射法生長(zhǎng)Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體薄膜開辟了新的研究途徑。
